Moldavian Journal of the Physical Sciences

D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies

موقع المجلة الرسميطريقة التحكيم: تحكيم علمي
حالة التقييم متاحة بعد تسجيل الدخول

عن المجلة

Moldavian Journal of the Physical Sciences مجلة مفتوحة الوصول يصدرها D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies في مولدوفا وتنشر بـENGLISH. مُدرجة في DOAJ بحسب المصادر المقروءة. مدة التحكيم المعلنة لدى DOAJ: 25 أسبوعاً. الوقائع منقولة كما وردت في مصادرها بتاريخ التقاطها؛ مؤشرات PublishLens متاحة بعد تسجيل الدخول.

الوقائع الأساسية

الناشر
D.Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies
ISSN
1810-648X · 2537-6365
البلد
مولدوفا
اللغات
ENGLISH
الوصول
وصول مفتوح
عدد المقالات في DOAJ
639
مدة التحكيم المعلنة
25 أسبوعاً
نمط التحكيم المعلن
peer_review
الموقع الرسمي
http://mjps.nanotech.md

الإدراج في الفهارس

  • DOAJ · 2021-10-20
الفهرسة
DOAJ
رسوم النشر
—
مدة التحكيم المُعلَنة (DOAJ)
25 أسبوعاً — مُعلَن من المجلة فقط (غير مقاس)
النشاط (OpenAlex)
نشطة — آخر أعمال 2023
حالة الإدراج في قائمة PublishLens
تظهر بعد تسجيل الدخول
تُحتسب للترقية في جامعتك؟
اختر جامعتك ورتبتك أدناه ↓

إشارات المنهجية (وقائع مؤرَّخة من مصادرها)

تفاصيل التقييم وفق المنهجية المنشورة تُعرض للمسجّلين مجاناً.

أنشئ حساباً مجانياً لعرض التقييم

ملف المجلة الوصفي

بيانات وصفية من مصادر علنية (DOAJ، OpenAlex، PubMed) بتاريخ الالتقاط المبيَّن — لا تتضمن أي تقييم أو حكم.

عدد المقالات في DOAJ

639

أحدث مقال منشور

قبل 5 سنوات

متوسط مدة المراجعة (مُعلَن من المجلة عبر DOAJ)

25أسبوعاً

عدد الأعمال في OpenAlex

74

آخر سنة نشر مسجلة

2023

تُعلنها OpenAlex في 1 من 3 مصادر (أعلام CC0، لا فهرسة مُتحقَّقة)DOAJSciELOOpenAlex Core

معامل h

3

معامل i10

1

من بيانات OpenAlex المفتوحة (CC0).

السياسة التحريرية8
تاريخ آخر مراجعة لدى DOAJ
2021-10-20
تاريخ الإضافة إلى DOAJ
2021-10-20
فحص الاستلال المُعلَن
مُعلَن
رسوم أخرى غير رسوم النشر
لا
هيئة التحرير
الصفحة الرسمية ↗
مراجع مودعة علنياً في Crossref
0%
معرّفات ORCID في الإيداعات الحديثة
0%
سياسة التحكيم
عرض السياسة
الهوية والاستمرارية1
نوع المصدر
journal
التصنيف الموضوعي4

الموضوعات (DOAJ)

Science: PhysicsTechnology: Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering: Electronics

رموز تصنيف مكتبة الكونغرس

QC1-999TK7800-8360

المواضيع العلمية

  • ZnO doping and properties
  • ZnO doping and properties
  • Chalcogenide Semiconductor Thin Films
  • Chalcogenide Semiconductor Thin Films
  • Physics of Superconductivity and Magnetism
  • Physics of Superconductivity and Magnetism
  • Solid-state spectroscopy and crystallography
  • Quantum Dots Synthesis And Properties
عرض كل المجالات (50)
  • Ga2O3 and related materials
  • Ga2O3 and related materials
  • Solid-state spectroscopy and crystallography
  • Quantum Dots Synthesis And Properties
  • Quantum, superfluid, helium dynamics
  • Phase-change materials and chalcogenides
  • Quantum, superfluid, helium dynamics
  • Luminescence Properties of Advanced Materials
  • Phase-change materials and chalcogenides
  • Semiconductor Quantum Structures and Devices
  • Topological Materials and Phenomena
  • Topological Materials and Phenomena
  • Semiconductor Quantum Structures and Devices
  • Gas Sensing Nanomaterials and Sensors
  • Advanced Semiconductor Detectors and Materials
  • Gas Sensing Nanomaterials and Sensors
  • Luminescence Properties of Advanced Materials
  • Advanced Semiconductor Detectors and Materials
  • Photonic Crystals and Applications
  • Photonic Crystals and Applications
  • Transition Metal Oxide Nanomaterials
  • Metallic Glasses and Amorphous Alloys
  • Advanced Thermoelectric Materials and Devices
  • Glass properties and applications
  • Transition Metal Oxide Nanomaterials
  • Semiconductor materials and interfaces
  • GaN-based semiconductor devices and materials
  • Quantum and electron transport phenomena
  • Quantum Mechanics and Applications
  • Radiation Detection and Scintillator Technologies
  • Advanced Thermodynamics and Statistical Mechanics
  • High-pressure geophysics and materials
  • Metallic Glasses and Amorphous Alloys
  • Glass properties and applications
  • High-pressure geophysics and materials
  • Advanced Thermoelectric Materials and Devices
  • Semiconductor materials and interfaces
  • Advanced Thermodynamics and Statistical Mechanics
  • Quantum Mechanics and Applications
  • Quantum and electron transport phenomena
  • GaN-based semiconductor devices and materials
  • Radiation Detection and Scintillator Technologies

كلمات مفتاحية (DOAJ)

  • physics
  • electronics
  • technology
  • engineering
  • device physics

تأكيدات مجتمعية — ما رآه مستخدمون في MJL أو Scopus Sources؛ ليست تحققاً من المنصة ولا تدخل في أي درجة.

جارٍ تحميل التأكيدات المجتمعية…
كيف نُقيّم؟ناشر هذه المجلة؟ تظلّم على تقدير مشتق أو طلب تصحيح واقعة

سجل المجلة في مصادر أخرى:Web of Science MJLDOAJ

كل ما يُعرض هنا يُنتَج آلياً من مصادر مسمّاة (DOAJ، OpenAlex، Crossref، PubMed، السجل النرويجي) بتاريخ التقاطه، دون تحرير بشري. الوقائع تظهر كما سُجِّلت في مصدرها؛ والدرجات المشتقة (PCI، PTD، درجة PublishLens) تتبع منهجية منشورة. ليست حكماً على المجلة ولا اعتماداً رسمياً ولا استشارة.

أي بند خاطئ يُصحَّح آلياً بإعادة قراءة مصدره (خلال 24 ساعة للمصادر اليومية و7 أيام للأسبوعية) مع سجل تغييرات مؤرَّخ، وكل بند يرتبط بسجله في المصدر. الاعتراض على تقدير مشتق من PublishLens يمر عبر آلية التظلم (15 يوم عمل). آلية التظلم · دليل المؤشرات

بيانات السجل النرويجي: Kanalregisteret (HK-dir، النرويج) — رخصة CC BY 4.0 / NLOD — مُعالَجة: استخراج المستوى بالسنة · قائمة أعضاء OASPA — رخصة CC BY

آخر قراءة آلية للمصدر: