Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems
Elsevier
عن المجلة
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems مجلة مفتوحة الوصول يصدرها Elsevier في المملكة المتحدة وتنشر بـENGLISH. مُدرجة في DOAJ بحسب المصادر المقروءة. مدة التحكيم المعلنة لدى DOAJ: 23 أسبوعاً. الوقائع منقولة كما وردت في مصادرها بتاريخ التقاطها؛ مؤشرات PublishLens متاحة بعد تسجيل الدخول.
الوقائع الأساسية
- الناشر
- Elsevier
- ISSN
- 2773-0646
- البلد
- المملكة المتحدة
- اللغات
- ENGLISH
- الوصول
- وصول مفتوح
- عدد المقالات في DOAJ
- 129
- مدة التحكيم المعلنة
- 23 أسبوعاً
- نمط التحكيم المعلن
- peer_review
الإدراج في الفهارس
- DOAJ · 2023-02-28
- الفهرسة
- DOAJ
- رسوم النشر
- —
- مدة التحكيم المُعلَنة (DOAJ)
- 23 أسبوعاً — مُعلَن من المجلة فقط (غير مقاس)
- النشاط (OpenAlex)
- نشطة — آخر أعمال 2026
- حالة الإدراج في قائمة PublishLens
- تظهر بعد تسجيل الدخول
- تُحتسب للترقية في جامعتك؟
- اختر جامعتك ورتبتك أدناه ↓
إشارات المنهجية (وقائع مؤرَّخة من مصادرها)
تفاصيل التقييم وفق المنهجية المنشورة تُعرض للمسجّلين مجاناً.
أنشئ حساباً مجانياً لعرض التقييمملف المجلة الوصفي
بيانات وصفية من مصادر علنية (DOAJ، OpenAlex، PubMed) بتاريخ الالتقاط المبيَّن — لا تتضمن أي تقييم أو حكم.
عدد المقالات في DOAJ
129
أحدث مقال منشور
قبل 3 أشهر
متوسط مدة المراجعة (مُعلَن من المجلة عبر DOAJ)
23أسبوعاً
عدد الأعمال في OpenAlex
133
آخر سنة نشر مسجلة
2025
معامل h
15
معامل i10
33
من بيانات OpenAlex المفتوحة (CC0).
السياسة التحريرية10
- تاريخ آخر مراجعة لدى DOAJ
- 2026-04-27
- تاريخ الإضافة إلى DOAJ
- 2023-02-28
- فحص الاستلال المُعلَن
- مُعلَن
- رسوم أخرى غير رسوم النشر
- لا
- جهات الحفظ الرقمي المُعلَنة
- CLOCKSSPortico
- الحفظ الرقمي المرصود (سجل Keepers)— لقطة 2026-10-05
- CLOCKSSPortico
- هيئة التحرير
- الصفحة الرسمية ↗
- مراجع مودعة علنياً في Crossref
- 98%
- معرّفات ORCID في الإيداعات الحديثة
- 89%
- تُودِع بيانات الرخص في Crossref
- ✓
- سياسة التحكيم
- عرض السياسة
الهوية والاستمرارية1
- نوع المصدر
- journal
التصنيف الموضوعي4
الموضوعات (DOAJ)
رموز تصنيف مكتبة الكونغرس
المواضيع العلمية
- Advanced Memory and Neural Computing
- Advanced Memory and Neural Computing
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Semiconductor materials and devices
- Semiconductor materials and devices
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
عرض كل المجالات (50)
- Neuroscience and Neural Engineering
- Neuroscience and Neural Engineering
- Analog and Mixed-Signal Circuit Design
- Analog and Mixed-Signal Circuit Design
- Parallel Computing and Optimization Techniques
- Parallel Computing and Optimization Techniques
- Low-power high-performance VLSI design
- Low-power high-performance VLSI design
- CCD and CMOS Imaging Sensors
- Advanced Data Storage Technologies
- CCD and CMOS Imaging Sensors
- Advanced Data Storage Technologies
- Radiation Effects in Electronics
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Interconnection Networks and Systems
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Physical Unclonable Functions (PUFs) and Hardware Security
- Electronic Packaging and Soldering Technologies
- Physical Unclonable Functions (PUFs) and Hardware Security
- Interconnection Networks and Systems
- 3D IC and TSV technologies
- Electronic Packaging and Soldering Technologies
- Radiation Effects in Electronics
- 3D IC and TSV technologies
- Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials
- Advanced Antenna and Metasurface Technologies
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
- Metamaterials and Metasurfaces Applications
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
- Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials
- Advanced Antenna and Metasurface Technologies
- Metamaterials and Metasurfaces Applications
- Innovative Energy Harvesting Technologies
- Quantum Computing Algorithms and Architecture
- Conducting polymers and applications
- Advancements in PLL and VCO Technologies
- Conducting polymers and applications
- Advancements in PLL and VCO Technologies
- Innovative Energy Harvesting Technologies
- Quantum Computing Algorithms and Architecture
- Advanced Neural Network Applications
- Advanced Neural Network Applications
كلمات مفتاحية (DOAJ)
- memories
- spintronics
- phase change
- memristor
- in-memory computing
- random access memory
تأكيدات مجتمعية — ما رآه مستخدمون في MJL أو Scopus Sources؛ ليست تحققاً من المنصة ولا تدخل في أي درجة.
سجل المجلة في مصادر أخرى:Web of Science MJLDOAJ