عن المجلة
Power Electronic Devices and Components مجلة مفتوحة الوصول يصدرها Elsevier في المملكة المتحدة وتنشر بـENGLISH. مُدرجة في DOAJ بحسب المصادر المقروءة. رسوم النشر المعلنة: 1,015 USD. مدة التحكيم المعلنة لدى DOAJ: 19 أسبوعاً. الوقائع منقولة كما وردت في مصادرها بتاريخ التقاطها؛ مؤشرات PublishLens متاحة بعد تسجيل الدخول.
الوقائع الأساسية
- الناشر
- Elsevier
- ISSN
- 2772-3704
- البلد
- المملكة المتحدة
- اللغات
- ENGLISH
- الوصول
- وصول مفتوح
- رسوم النشر المعلنة
- 1,015 USD
- عدد المقالات في DOAJ
- 131
- مدة التحكيم المعلنة
- 19 أسبوعاً
- نمط التحكيم المعلن
- peer_review
الإدراج في الفهارس
- DOAJ · 2022-10-18
- الفهرسة
- DOAJ
- رسوم النشر
- 1,015 USD
- مدة التحكيم المُعلَنة (DOAJ)
- 19 أسبوعاً — مُعلَن من المجلة فقط (غير مقاس)
- النشاط (OpenAlex)
- نشطة — آخر أعمال 2026
- حالة الإدراج في قائمة PublishLens
- تظهر بعد تسجيل الدخول
- تُحتسب للترقية في جامعتك؟
- اختر جامعتك ورتبتك أدناه ↓
إشارات المنهجية (وقائع مؤرَّخة من مصادرها)
تفاصيل التقييم وفق المنهجية المنشورة تُعرض للمسجّلين مجاناً.
أنشئ حساباً مجانياً لعرض التقييمملف المجلة الوصفي
بيانات وصفية من مصادر علنية (DOAJ، OpenAlex، PubMed) بتاريخ الالتقاط المبيَّن — لا تتضمن أي تقييم أو حكم.
عدد المقالات في DOAJ
131
أحدث مقال منشور
قبل 7 أشهر
متوسط مدة المراجعة (مُعلَن من المجلة عبر DOAJ)
19أسبوعاً
عدد الأعمال في OpenAlex
143
آخر سنة نشر مسجلة
2026
معامل h
12
معامل i10
16
من بيانات OpenAlex المفتوحة (CC0).
السياسة التحريرية11
- تاريخ آخر مراجعة لدى DOAJ
- 2026-04-27
- تاريخ الإضافة إلى DOAJ
- 2022-10-18
- فحص الاستلال المُعلَن
- مُعلَن
- رسوم أخرى غير رسوم النشر
- لا
- جهات الحفظ الرقمي المُعلَنة
- CLOCKSSPortico
- الحفظ الرقمي المرصود (سجل Keepers)— لقطة 2026-09-21
- CLOCKSSPortico
- هيئة التحرير
- الصفحة الرسمية ↗
- مراجع مودعة علنياً في Crossref
- 97%
- معرّفات ORCID في الإيداعات الحديثة
- 85%
- تُودِع بيانات الرخص في Crossref
- ✓
- سياسة إعفاء رسوم النشر
- عرض السياسة
- سياسة التحكيم
- عرض السياسة
الهوية والاستمرارية1
- نوع المصدر
- journal
التصنيف الموضوعي2
الموضوعات (DOAJ)
رموز تصنيف مكتبة الكونغرس
المواضيع العلمية
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- GaN-based semiconductor devices and materials
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor materials and devices
- Electromagnetic Compatibility and Noise Suppression
- Semiconductor materials and devices
- Electromagnetic Compatibility and Noise Suppression
عرض كل المجالات (50)
- Multilevel Inverters and Converters
- Multilevel Inverters and Converters
- Advanced DC-DC Converters
- Advanced DC-DC Converters
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Electrostatic Discharge in Electronics
- Electrostatic Discharge in Electronics
- Electronic Packaging and Soldering Technologies
- Electronic Packaging and Soldering Technologies
- Advanced Battery Technologies Research
- HVDC Systems and Fault Protection
- Advanced Battery Technologies Research
- HVDC Systems and Fault Protection
- 3D IC and TSV technologies
- 3D IC and TSV technologies
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- ZnO doping and properties
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- ZnO doping and properties
- Induction Heating and Inverter Technology
- Ga2O3 and related materials
- Ga2O3 and related materials
- Induction Heating and Inverter Technology
- Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials
- Magnetic Field Sensors Techniques
- Microgrid Control and Optimization
- Magnetic Field Sensors Techniques
- Dielectric materials and actuators
- Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials
- Microgrid Control and Optimization
- Dielectric materials and actuators
- Aluminum Alloys Composites Properties
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Thin-Film Transistor Technologies
- Aluminum Alloys Composites Properties
- Ferroelectric and Piezoelectric Materials
- Ferroelectric and Piezoelectric Materials
- High voltage insulation and dielectric phenomena
- High voltage insulation and dielectric phenomena
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Thin-Film Transistor Technologies
كلمات مفتاحية (DOAJ)
- power electronic devices
- power electronic components
- passive devices
- emerging power devices
تأكيدات مجتمعية — ما رآه مستخدمون في MJL أو Scopus Sources؛ ليست تحققاً من المنصة ولا تدخل في أي درجة.
سجل المجلة في مصادر أخرى:Web of Science MJLDOAJ