حالة التقييم متاحة بعد تسجيل الدخول
عن المجلة
IEEE Journal of the Electron Devices Society مجلة مفتوحة الوصول يصدرها IEEE في الولايات المتحدة وتنشر بـENGLISH. مُدرجة في DOAJ بحسب المصادر المقروءة. رسوم النشر المعلنة: 1,350 USD. مدة التحكيم المعلنة لدى DOAJ: 9 أسبوعاً. الوقائع منقولة كما وردت في مصادرها بتاريخ التقاطها؛ مؤشرات PublishLens متاحة بعد تسجيل الدخول.
الوقائع الأساسية
- الناشر
- IEEE
- ISSN
- 2168-6734
- البلد
- الولايات المتحدة
- اللغات
- ENGLISH
- الوصول
- وصول مفتوح
- رسوم النشر المعلنة
- 1,350 USD
- عدد المقالات في DOAJ
- 1721
- مدة التحكيم المعلنة
- 9 أسبوعاً
- نمط التحكيم المعلن
- peer_review
الإدراج في الفهارس
- DOAJ · 2014-10-23
- الفهرسة
- DOAJ
- رسوم النشر
- 1,350 USD
- مدة التحكيم المُعلَنة (DOAJ)
- 9 أسبوعاً — مُعلَن من المجلة فقط (غير مقاس)
- النشاط (OpenAlex)
- نشطة — آخر أعمال 2026
- حالة الإدراج في قائمة PublishLens
- تظهر بعد تسجيل الدخول
- تُحتسب للترقية في جامعتك؟
- اختر جامعتك ورتبتك أدناه ↓
إشارات المنهجية (وقائع مؤرَّخة من مصادرها)
تفاصيل التقييم وفق المنهجية المنشورة تُعرض للمسجّلين مجاناً.
أنشئ حساباً مجانياً لعرض التقييمملف المجلة الوصفي
بيانات وصفية من مصادر علنية (DOAJ، OpenAlex، PubMed) بتاريخ الالتقاط المبيَّن — لا تتضمن أي تقييم أو حكم.
عدد المقالات في DOAJ
1721
أحدث مقال منشور
الشهر الماضي
متوسط مدة المراجعة (مُعلَن من المجلة عبر DOAJ)
9أسبوعاً
عدد الأعمال في OpenAlex
1951
آخر سنة نشر مسجلة
2026
تُعلنها OpenAlex في 2 من 3 مصادر (أعلام CC0، لا فهرسة مُتحقَّقة)DOAJSciELOOpenAlex Core
معامل h
64
معامل i10
754
من بيانات OpenAlex المفتوحة (CC0).
السياسة التحريرية13
- تاريخ آخر مراجعة لدى DOAJ
- 2026-03-12
- تاريخ الإضافة إلى DOAJ
- 2014-10-23
- فحص الاستلال المُعلَن
- مُعلَن
- رسوم أخرى غير رسوم النشر
- لا
- جهات الحفظ الرقمي المُعلَنة
- PorticoScholars Portal
- الحفظ الرقمي المرصود (سجل Keepers)— لقطة 2026-10-05
- Portico
- هيئة التحرير
- الصفحة الرسمية ↗
- السجل النرويجي (HK-dir)— 2026
- المستوى 1 — قناة علمية معتمدة
- مراجع مودعة علنياً في Crossref
- 87%
- معرّفات ORCID في الإيداعات الحديثة
- 95%
- مسجَّلة في فحص التشابه (Crossref Similarity Check)
- ✓
- تُودِع بيانات الرخص في Crossref
- ✓
- سياسة إعفاء رسوم النشر
- عرض السياسة
- سياسة التحكيم
- عرض السياسة
الهوية والاستمرارية2
- عناوين بديلة
- Electron Devices Society, IEEE journalInstitute of Electrical and Electronics Engineers journal of the Electron Devices SocietyJ-EDS
- نوع المصدر
- journal
التصنيف الموضوعي2
الموضوعات (DOAJ)
Technology: Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
رموز تصنيف مكتبة الكونغرس
TK1-9971
المواضيع العلمية
- Semiconductor materials and devices
- Semiconductor materials and devices
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
عرض كل المجالات (50)
- Thin-Film Transistor Technologies
- Thin-Film Transistor Technologies
- GaN-based semiconductor devices and materials
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Advanced Memory and Neural Computing
- Advanced Memory and Neural Computing
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and interfaces
- Nanowire Synthesis and Applications
- Nanowire Synthesis and Applications
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Ga2O3 and related materials
- Ga2O3 and related materials
- CCD and CMOS Imaging Sensors
- CCD and CMOS Imaging Sensors
- ZnO doping and properties
- ZnO doping and properties
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Radio Frequency Integrated Circuit Design
- Electrostatic Discharge in Electronics
- Electrostatic Discharge in Electronics
- Energy Harvesting in Wireless Networks
- Energy Harvesting in Wireless Networks
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Silicon and Solar Cell Technologies
- MXene and MAX Phase Materials
- MXene and MAX Phase Materials
- Electromagnetic Compatibility and Noise Suppression
- Electromagnetic Compatibility and Noise Suppression
- Photonic and Optical Devices
- Photonic and Optical Devices
- Neuroscience and Neural Engineering
- Neuroscience and Neural Engineering
- Wireless Body Area Networks
- Wireless Body Area Networks
- Bluetooth and Wireless Communication Technologies
- Bluetooth and Wireless Communication Technologies
- Advanced Research in Systems and Signal Processing
- 2D Materials and Applications
كلمات مفتاحية (DOAJ)
- field effect transistors
- logic gates
- integrated circuit devices
- display technologies
- wearable devices
تأكيدات مجتمعية — ما رآه مستخدمون في MJL أو Scopus Sources؛ ليست تحققاً من المنصة ولا تدخل في أي درجة.
جارٍ تحميل التأكيدات المجتمعية…
سجل المجلة في مصادر أخرى:Web of Science MJLDOAJ